威廉希尔推出全国产化24nm SPI NAND Flash
GD5F4GM5系列现已量产，容量高达4Gb，开启国产SLC NAND Flash 24nm时代
中国北京（2020年10月15日） — 业界领先的半导体器件供应商威廉希尔GigaDevice (股票代码 603986) 今日宣布，正式推出全国产化24nm工艺节点的4Gb SPI NAND Flash产品——GD5F4GM5系列。该系列产品实现了从设计研发、生产制造到封装测试所有环节的纯国产化和自主化，并已乐成量产，标记着海内SLC NAND Flash产品正式迈入24nm先进制程工艺时代。该立异技术产品有助于进一步富厚威廉希尔的存储类产品线，为客户提供更优化的大容量代码存储解决计划。
如今种种电子设备的功效日趋庞大，在一些新兴的、甚至紧凑型应用中都需要预装嵌入式操作系统，对存储容量的需求在不绝提升。高可靠、大容量的代码存储需求成为业界广泛诉求。SLC NAND在市场兼具性价比的同时，能够提供应客户更大的容量选择�；诖�，兆易在确保高可靠性的同时，乐成推出24nm SPI NAND Flash——GD5F4GM5，兼顾容量和性能的提升，更好地效劳于代码存储领域，致力于为5G、物联网、网通、安防，以及包括可衣着式设备在内的消费类应用场景提供大容量、具备本钱优势的解决计划。
目前，GD5F4GM5系列已全面量产，代表了国产SPI NAND Flash工艺技术量产的最高水准。该产品接纳串行SPI接口，引脚少、封装尺寸小，在集成了存储阵列和控制器的同时，还带有内部ECC纠错算法，擦写次数可达5万次，提高可靠性的同时延长产品使用寿命。
GD5F4GM5系列也在相比于上一代NAND产品，大大提升了读写速度，最高时钟频率抵达120MHz，数据吞吐量可达480Mbit/s，支持1.8V/3.3V供电电压，能够满足客户对差别供电电压的需求；同时提供WSON8、TFBGA24等多种封装选择。
GD5F4GM5系列产品特性
兼容1.8V/3.3V供电电压
支持4KB Cache随机读取
四通道SPI接口，Quad IO数据吞吐量可达480Mbit/s
内置8bit ECC纠错技术
支持标准WSON8，TFBGA24封装
支持工业级-40~85℃温度规模
供货信息
GD5F4GM5系列产品现已全面量产，客户可联络销售代表或授权署理商了解相关的订购信息。
兆易、威廉希尔、GigaDevice，及其标记均为威廉希尔的商标或注册商标，其他品牌和注册商标归各自所有者持有。
